IPD50R500CEAUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 960 ֏
от 2 шт. —
1 530 ֏
от 5 шт. —
1 230 ֏
от 10 шт. —
1 120 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 7.6A, 500V, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:7.6A, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):0.45ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:13V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | IPD50R500CE |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS CE |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Width | 6.22 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IPD50R500CEAUMA1
pdf, 1135 КБ
