IR2011
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 790 ֏
от 2 шт. —
3 230 ֏
от 5 шт. —
2 900 ֏
от 10 шт. —
2 720 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 790 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET DRIVER, HIGH/LOW-SIDE, DIP-8, Driver Configuration:High Side and Low Side, Peak Output Current:1A, Supply Voltage Min:10V, Supply Voltage Max:20V, Driver Case Style:DIP, No. of Pins:8, Input Delay:80ns, Output Delay:75ns , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Category | Integrated Circuits(ICs) |
Configuration | High and Low Side, Independent |
Current - Peak | 1A |
Delay Time | 80ns |
Family | PMIC-MOSFET, Bridge Drivers-External Switch |
High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
Input Type | Non-Inverting |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Configurations | 1 |
Number of Outputs | 2 |
Online Catalog | High and Low Side |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
Package / Case | 8-DIP(0.300", 7.62mm) |
Packaging | Tube |
PCN Assembly/Origin | Assembly Site Addition 17/Dec/2014 |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | 8-DIP |
Voltage - Supply | 10 V ~ 20 V |
IC Case / Package | DIP |
Задержка Выхода | 75нс |
Задержка по Входу | 80нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 2канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Стиль Корпуса Привода | DIP |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 1А |
Ток стока | 1А |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1303 КБ