IRF9540S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 020 ֏
от 2 шт. —
1 540 ֏
от 3 шт. —
1 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 020 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -13А, 150Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 150W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 61 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 73 ns |
Время спада | 57 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.2 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 34 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 57 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400 25V |
Typical Rise Time (ns) | 73 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Width | 9.65mm |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 171 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 174 КБ
Похожие товары