Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STW11NM80

STW11NM80

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 шт. с центрального склада, срок 3 недели

7 200 ֏

от 2 шт. — 6 600 ֏

от 5 шт. — 6 100 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 200 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001975117

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой STW11NM80 от STMicroelectronics — высокомощный компонент для силовой электроники. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа THT (сквозное отверстие). Способно выдерживать ток стока до 8 А и напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,35 Ом, обеспечивая эффективную работу с минимальными потерями. Тип N-MOSFET подчеркивает эффективность и надежность использования в различных схемах. Код товара STW11NM80 гарантирует соответствие международным стандартам качества и безопасности. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	8
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	150
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.35
Корпус	TO247

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	600
Fall Time	15 ns
Forward Transconductance - Min	8 S
Height	20.15 mm
Id - Continuous Drain Current	11 A
Length	15.75 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	150 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Rise Time	17 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	46 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	5.15 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Fall Time:	15 ns
Forward Transconductance - Min:	8 S
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	150 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	43.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	400 mOhms
Rise Time:	17 ns
Series:	STW11NM80
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	46 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	6.288