Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF9328

IRF9328

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 620 ֏

от 2 шт. — 1 360 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 620 ֏

Номенклатурный номер: 8001995497

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, P-CH, -30V, -12A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Maximum Continuous Drain Current - (A)	12
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	11.9@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	30
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	2500
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Standard Package Name	SOP
Supplier Package	SOIC N
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	35
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	18@4.5VI35@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1680@25V
Вес, г	0.15