IPB107N20N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 200 ֏
от 2 шт. —
4 680 ֏
от 5 шт. —
4 300 ֏
от 10 шт. —
4 080 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPB107N20N3GATMA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET, предназначенный для SMD монтажа. С отличными характеристиками тока стока 88 А и напряжения сток-исток в 200 В, этот компонент обеспечивает надежную работу при мощности до 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0107 Ом, что гарантирует эффективную проводимость и минимизацию потерь энергии. Упакованный в надежный корпус PG-TO263-3, IPB107N20N3GATMA1 идеален для широкого спектра электронных применений, где требуется высокая мощность и эффективность. Используйте код IPB107N20N3GATMA1 для поиска этого полевого транзистора в нашем каталоге и убедитесь в его качестве и производительности. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 88 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 300 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0107 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 88 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 65@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5340@100V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 71 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 88 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB107N20N3 G SP000676406 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.7 mOhms |
| Rise Time: | 26 ns |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Width | 9.45mm |
| Вес, г | 1.88 |
