STF18N55M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. с центрального склада, срок 3 недели
5 900 ֏
от 2 шт. —
5 400 ֏
от 5 шт. —
4 930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
STMICROELECTRONICS STF18N55M5 MOSFETS
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192 mOhm @ 8A, 10V |
Series | MDmeshв(ў V |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Base Product Number | STF18 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tube |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Вес, г | 2.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1540 КБ
Datasheet ...18N55M5
pdf, 1247 КБ
Видео
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 июня1 | бесплатно |
HayPost | 9 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг