BU508AF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 шт. с центрального склада, срок 3 недели

3 070 ֏

от 2 шт. — 2 590 ֏

от 5 шт. — 2 230 ֏

от 10 шт. — 2 070 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 070 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002023025

Электроэлемент

Описание Транзистор биполярный, стандартный

Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	9 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	8 A
Emitter- Base Voltage VEBO	9 V
Factory Pack Quantity	300
Height	14.7 mm
Length	26.7 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	8 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	ISOWATT-218FX-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	50000 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	1000V Transistors
Transistor Polarity	NPN
Width	15.7 mm
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	8 A
Emitter- Base Voltage VEBO:	9 V
Factory Pack Quantity:	300
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	8 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	ISOWATT-218FX-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	50 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	5.811