IPB042N10N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 980 ֏
от 2 шт. —
2 510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 980 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPB042N10N3GATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. Этот транзистор отличается током стока в 100 А и напряжением сток-исток в 100 В, что обеспечивает его применение в различных сферах мощной электроники. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0042 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Мощность транзистора достигает 214 Вт, что позволяет использовать его в высоконагруженных электрических цепях. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Приобретите IPB042N10N3GATMA1 для уверенной работы ваших электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 214 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0042 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 137 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Вес, г | 2.1 |
Техническая документация
Datasheet IPB042N10N3G
pdf, 976 КБ
