IPB072N15N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 760 ֏
от 2 шт. —
4 250 ֏
от 5 шт. —
3 880 ֏
от 10 шт. —
3 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 760 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min | 65 S |
| Height | 4.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | G IPB072N15N3 IPB072N15N3GXT SP000386664 |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 93 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms |
| Rise Time | 35 ns |
| RoHS | Details |
| Series | XPB072N15 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 9.25 mm |
| Id - непрерывный ток утечки: | 100 a |
| Qg - заряд затвора: | 93 nc |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 5.8 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 150 v |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 v, +20 v |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 v |
| Время нарастания: | 35 ns |
| Время спада: | 14 ns |
| Канальный режим: | enhancement |
| Количество каналов: | 1 channel |
| Конфигурация: | single |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Рабочая температура: | -55 c+175 c |
| Тип транзистора: | 1 n-channel |
| Типичное время задержки выключения: | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 25 ns |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Вес, г | 1.943 |
