IPD079N06L3GBTMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 200 ֏
от 2 шт. —
4 640 ֏
от 5 шт. —
4 250 ֏
от 10 шт. —
4 060 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPD079N06L3GBTMA1 от известного производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С током стока 50 А и напряжением сток-исток 60 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 79 Вт, обеспечивая при этом исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0079 Ом. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO252-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность в различных рабочих условиях. Применение IPD079N06L3GBTMA1 охватывает широкий спектр электронных схем, включая высокоэффективные преобразователи и управление двигателями. Обладая отличными характеристиками и качеством от INFINEON, этот транзистор является отличным выбором для профессиональных разработок. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 50 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 79 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0079 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 445 КБ
