IPD50P04P413ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 340 ֏
от 2 шт. —
1 920 ֏
от 5 шт. —
1 600 ֏
от 8 шт. —
1 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P CH, -40V, -50A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet IPD50P04P413ATMA2
pdf, 413 КБ
