IPD5N25S3430ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 040 ֏
от 2 шт. —
1 620 ֏
от 5 шт. —
1 300 ֏
от 10 шт. —
1 190 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 040 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 5A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 5(A) |
| Drain-Source On-Volt | 250(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 41(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 430mΩ@5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@13uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 422pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 41W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.2nC@10V |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet IPD5N25S3430ATMA1
pdf, 180 КБ
