Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF3710S

IRF3710S

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 190 ֏

от 2 шт. — 1 750 ֏

от 5 шт. — 1 420 ֏

от 10 шт. — 1 310 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 190 ֏

Номенклатурный номер: 8002024915

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	57
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	23@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	100
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	200000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~175
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3
Process Technology	HEXFET
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	130(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	130(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	3130@25V
Вес, г	2.5