BSD223PH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
255 ֏
от 10 шт. —
183 ֏
от 100 шт. —
112 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSD223PH6327XTSA1 от ведущего производителя INFINEON – это высокоэффективный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, он характеризуется током стока в 0,39 А и напряжением сток-исток до 20 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,2 Ом, что гарантирует его эффективную работу. Модель N-MOSFET упакована в компактный корпус PG-SOT-363, идеально подходит для поверхностного монтажа. Используйте BSD223PH6327XTSA1 для повышения производительности вашей электронной аппаратуры. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 0.39 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 0.25 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
Корпус | PG-SOT-363 |
Технические параметры
Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.39 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200 4.5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | OptiMOS-P |
Product Category | Small Signal |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-363 |
Typical Fall Time (ns) | 3.2 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.5 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 45 15V |
Typical Rise Time (ns) | 5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 5.1 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.8 |
Maximum Continuous Drain Current | 390 mA |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-363 |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 3.2 ns |
Forward Transconductance - Min: | 350 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 390 mA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Part # Aliases: | BSD223P H6327 SP000924074 |
Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 500 pC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | BSD223 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 2 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 5.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 284 КБ
Datasheet BSD223PH6327XTSA1
pdf, 276 КБ
Datasheet BSD223PH6327XTSA1
pdf, 284 КБ
Документация
pdf, 320 КБ