IPB039N10N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 660 ֏
от 2 шт. —
3 150 ֏
от 5 шт. —
2 840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 660 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 160А, 214Вт, Ugs ±20В Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 160 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 214 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0039 |
| Корпус | PG-TO263-7 |
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Continuous Drain Current (Id) | 160A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@100A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@160uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8.41nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 214W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 117nC@10V |
| Type | N Channel |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Вес, г | 1.81 |
Техническая документация
Datasheet IPB039N10N3GATMA1
pdf, 666 КБ
