F475R06W1E3BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275W 15-Pin EASY1B-1 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 5 шт. —
52 300 ֏
от 10 шт. —
49 600 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 173 400 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\IGBT Transistors\IGBT Module
Модуль Trans IGBT N-CH 600 В 100 А 275000 мВт 15-контактный лоток EASY1B-1
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 275000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 15 |
| Pin Count | 15 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | EASY1B-1 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.45 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 275 W |
| Number of Transistors | 4 |
Техническая документация
Datasheet F475R06W1E3BOMA1
pdf, 789 КБ
Datasheet F475R06W1E3BOMA1
pdf, 750 КБ
