BSS84AK,215, Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6589 шт., срок 8 недель

295 ֏

от 10 шт. — 152 ֏

от 50 шт. — 87 ֏

от 100 шт. — 68 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 295 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8002520951

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23 Характеристики

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	180mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	7.5О© @ 100mA,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.1V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	180 mA
Maximum Drain Source Resistance	7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	50 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.26 nC @ 5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.02