TK56E12N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB

Фото 1/2 TK56E12N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
2 670 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 670 ֏
Номенклатурный номер: 8020204776
Бренд: Toshiba

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case TO220AB
Drain current 56A
Drain-source voltage 120V
Gate charge 69nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer TOSHIBA
Mounting THT
On-state resistance 5.8mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 168W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 1.96

Техническая документация

Datasheet
pdf, 256 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 1 июля1 бесплатно
HayPost 4 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг