2N7002BKV,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
956 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
280 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 39 шт. —
224 ֏
от 77 шт. —
210 ֏
от 153 шт. —
193 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 240 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8098858211
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
Технические параметры
Корпус | SOT666 | |
Continuous Drain Current (Id) | 340mA | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V, 500mA | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
Operating Temperature | - | |
Power Dissipation (Pd) | 350mW | |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@10V | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V | |
Type | 2 N-Channel | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKV,115
pdf, 921 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 июля1 | бесплатно |
HayPost | 10 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары