VN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный

Фото 1/2 VN0106N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 170 ֏
от 3 шт.910 ֏
от 10 шт.680 ֏
от 100 шт.550 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 170 ֏
Номенклатурный номер: 8002580209

Описание

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.35
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.4
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Bag
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology DMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-92
Typical Fall Time (ns) 5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 55@25V
Typical Output Capacitance (pF) 20
Typical Rise Time (ns) 5
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 6
Typical Turn-On Delay Time (ns) 3
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-92
Вес, г 0.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 609 КБ
Datasheet
pdf, 752 КБ