SKM75GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
23 800 ֏
от 2 шт. —
22 300 ֏
от 3 шт. —
21 200 ֏
от 4 шт. —
20 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 800 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт
Технические параметры
| Корпус | GB | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Dual Half Bridge | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Package Type | SEMITRANS2 | |
| Pin Count | 7 | |
| Transistor Configuration | Series | |
| Вес, г | 310 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 8 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 11 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137035.jpg)
