STB40NF10LT4, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 25А, 150Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1255 шт., срок 8 недель

1 840 ֏

от 5 шт. — 1 400 ֏

от 25 шт. — 970 ֏

от 100 шт. — 820 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 840 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002659400

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 25А, 150Вт, D2PAK

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	24 ns
Forward Transconductance - Min:	25 S
Id - Continuous Drain Current:	40 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	150 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	64 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms
Rise Time:	82 ns
Series:	STB40NF10L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	64 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-15 V, +15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	1.75