Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD19506KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

CSD19506KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 375Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 800 ֏

от 3 шт. — 6 200 ֏

от 10 шт. — 4 690 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 800 ֏

Номенклатурный номер: 8002766772

Бренд: Texas Instruments

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 375Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.002Ом
Power Dissipation	375Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	100А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	375Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.002Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	273 A
Maximum Drain Source Resistance	2.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.2V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	375 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	NexFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	10 ns
Forward Transconductance - Min:	297 S
Id - Continuous Drain Current:	200 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	375 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	120 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.3 mOhms
REACH - SVHC:	Details
Rise Time:	11 ns
Series:	CSD19506KCS
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	30 ns
Typical Turn-On Delay Time:	19 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	5