Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPA60R380C6XKSA1

IPA60R380C6XKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 020 ֏

от 2 шт. — 2 500 ֏

от 5 шт. — 2 160 ֏

от 10 шт. — 2 010 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 020 ֏

Номенклатурный номер: 8002887702

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IPA60R380C6XKSA1 производства INFINEON – это высококачественный компонент для монтажа в отверстия (THT), обладающий током стока 10,6 А и напряжением сток-исток 600 В. С мощностью 31 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,38 Ом, этот N-MOSFET транзистор гарантирует эффективную работу в различных электронных схемах. Корпус PG-TO220 FullPAK обеспечивает надежную защиту и удобство в использовании. Воспользуйтесь IPA60R380C6XKSA1 для повышения производительности ваших проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	10.6
Напряжение сток-исток, В	600
Мощность, Вт	31
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.38
Корпус	PG-TO220 FullPAK

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	10.6
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	380@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	600
Maximum Gate Source Voltage - (V)	20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	3.5
Maximum Power Dissipation - (mW)	31000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tube
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220FP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	32
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	32@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	700@100V
Вес, г	0.26