Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › TIP127G

TIP127G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 040 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 780 ֏

от 10 шт. — 670 ֏

от 100 шт. — 660 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 080 ֏

Номенклатурный номер: 8002975204

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

Описание Биполярный транзистор TIP127G от производителя ONSEMI — это мощный компонент для различных электронных схем. Отличается высоким током коллектора до 5 А и напряжением коллектор-эмиттер до 100 В, что делает его подходящим для управления нагрузками с большим энергопотреблением. Тип Дарлингтон обеспечивает высокое усиление тока, а монтаж THT позволяет легко установить транзистор в печатную плату. Мощность устройства составляет 2 Вт, а корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность. Используйте TIP127G для создания эффективных и мощных электронных проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP, Дарлингтон
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	5
Напряжение коллектор-эмиттер, В	100
Мощность, Вт	2
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	1000
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	50
Height	15.75 mm
Length	10.53 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Collector Cut-off Current	200 uA
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	65 W
Product Category	Darlington Transistors
RoHS	Details
Series	TIP127
Transistor Polarity	PNP
Unit Weight	0.211644 oz
Width	4.83 mm
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Base Current (A)	0.12
Maximum Collector Base Voltage (V)	100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)	200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	2 12mA 3A\|4 20mA 5A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	100
Maximum Continuous DC Collector Current (A)	5
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Minimum DC Current Gain	1000 0.5A 3V\|1000 3A 3V
Minimum DC Current Gain Range	500 to 3600
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-65 to 150
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Type	PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)	4(Min)
Typical Transition Frequency (MHz)	4(Min)
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Continuous Collector Current	5 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220AB
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	4