2N5551TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
247 ֏
от 10 шт. —
158 ֏
от 79 шт. —
81 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 120 ֏
Посмотреть аналоги10
Описание
Электроэлемент
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO | 180 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.6 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
DC Current Gain hFE Max | 250 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
Height | 4.7 mm |
Length | 4.7 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead |
Packaging | Ammo Pack |
Pd - Power Dissipation | 625 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2N5551 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.008466 oz |
Width | 3.93 mm |
Pd - рассеивание мощности: | 625 mW |
Вид монтажа: | Through Hole |
Высота: | 4.7 mm |
Длина: | 4.7 mm |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
Конфигурация: | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 250 |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 160 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.2 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток: | 0.6 A |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
Производитель: | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 2000 |
Серия: | 2N5551 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead |
Упаковка: | Ammo Pack |
Ширина: | 3.93 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 80 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N5551TA
pdf, 420 КБ
Datasheet 2N5551TF
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 407 КБ