2N4920G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 620 ֏
от 2 шт. —
1 240 ֏
от 5 шт. —
970 ֏
от 10 шт. —
870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 620 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600mV; Device Marking:2N4920; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Voltage Vcbo:80V
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 1(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
Collector-Base Voltage | 80(V) |
Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 40 |
DC Current Gain (Min) | 40 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 3(MHz) |
Frequency (Max) | 3 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-225 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 30(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@0.1A@1A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@0.1A@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100000 |
Minimum DC Current Gain | 30@500mA@1V|40@50mA@1V|10@1A@1V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Supplier Package | TO-225 |
Military | No |
Package Height | 11.04(Max) |
Package Length | 7.74(Max) |
Package Width | 2.66(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11.04 mm (Max) |
Длина | 7.74 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | 2N4920 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm (Max) |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet
pdf, 193 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N4920G
pdf, 143 КБ
Документация
pdf, 150 КБ