BUX85G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
640 ֏
от 10 шт. —
540 ֏
от 50 шт. —
451 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 800 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор силовой биполярный TO-220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 1 kV |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 450 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 2 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 50 |
Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz |
Height | 15.75 mm |
Length | 10.53 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 50 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | BUX85 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Width | 4.83 mm |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.53 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | BUX85 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 4 MHz |
Maximum Power Dissipation | 50 W |
Minimum DC Current Gain | 30 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 3.5 |