IXTH26N60P
4 шт. с центрального склада, срок 3 недели
14 700 ֏
от 2 шт. —
13 800 ֏
от 4 шт. —
13 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 700 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 26А, 460Вт, TO247-3, 500нс
Технические параметры
Brand | IXYS |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 21 ns |
Forward Transconductance - Min | 16 S |
Height | 21.46 mm |
Id - Continuous Drain Current | 26 A |
Length | 16.26 mm |
Manufacturer | IXYS |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 460 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 72 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms |
Rise Time | 27 ns |
RoHS | Details |
Series | IXTH26N60 |
Technology | Si |
Tradename | PolarHV |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | PolarHV Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 75 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 272 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 1 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары