FJT44KTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
510 ֏
от 10 шт. —
417 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 460 ֏
Описание
Электроэлемент
100nA 400V 2W 50@10mA,10V 300mA 750mV@50mA,5mA NPN +150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 0.3(A) |
Collector-Base Voltage | 500(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 40 |
Emitter-Base Voltage | 6(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | SOT-223 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 2(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FJT44 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.56 mm |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.75@1mA@10mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 500 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@0.1mA@1mA|0.5@1mA@10mA|0.75@5mA@50mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.3 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum DC Current Gain | 40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 500 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 323 КБ
Datasheet
pdf, 111 КБ
Datasheet FJT44KTF
pdf, 323 КБ