STR2N2VH5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
468 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
238 ֏
от 10 шт. —
166 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 936 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.7 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET H5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.75mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Series: | STR2N2VH5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 3 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
