Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB4NK60ZT4, Trans MOSFET N-CH 600V 4A ...

STB4NK60ZT4, Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3000 шт., срок 8-10 недель

780 ֏

Кратность заказа 1000 шт.

от 2000 шт. — 740 ֏

от 3000 шт. — 660 ֏

Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 780 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003195282

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Qg - заряд затвора	26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9.5 ns
Время спада	16.5 ns
Высота	4.6 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB4NK60ZT4
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	29 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.35 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	18.8 nC @ 10 V
Width	9.35mm
Вес, г	1