BC846BW,115, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R

Фото 1/8 BC846BW,115, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 15000 шт.17 ֏
Добавить в корзину 12000 шт. на сумму 264 000 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003209340
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор n-p-n 65В 100мA 200мВт SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN
кол-во в упаковке 3000
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type UMT
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC846
pdf, 115 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг