BC846BW,115, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 15000 шт. —
17 ֏
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 264 000 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003209340
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор n-p-n 65В 100мA 200мВт SOT323 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN |
кол-во в упаковке | 3000 |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | UMT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC846
pdf, 115 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары