IXTH11P50
11 шт. с центрального склада, срок 3 недели
17 900 ֏
от 2 шт. —
17 100 ֏
от 5 шт. —
16 400 ֏
от 10 шт. —
15 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 900 ֏
Описание
Электроэлемент
Транзистор: P-MOSFET, полевой, -500В, -11А, 300Вт, TO247-3, 500нс
Технические параметры
Brand | IXYS |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 35 ns |
Forward Transconductance - Min | 5 S |
Height | 21.46 mm |
Id - Continuous Drain Current | -11 A |
Length | 16.26 mm |
Manufacturer | IXYS |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 300 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 130 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 750 mOhms |
Rise Time | 27 ns |
RoHS | Details |
Series | IXTH11P50 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Type | Standard Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -0.122 V |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 9.154 |
Техническая документация
Документация
pdf, 130 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары