BSS138BK,215, Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
792000 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 21000 шт. —
40 ֏
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 264 000 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003278620
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 350mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.6V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары