STF34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, Idm: 116А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт., срок 8 недель
7 000 ֏
от 3 шт. —
6 200 ֏
от 10 шт. —
4 810 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, Idm: 116А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Drain current | 18A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.11Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 40W |
| Pulsed drain current | 116A |
| Technology | FDmesh™ II |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
