RD07MVS1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 950 ֏
от 2 шт. —
4 420 ֏
от 5 шт. —
4 030 ֏
от 6 шт. —
3 890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 950 ֏
Описание
Электроэлемент
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1 |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
RD07MVS1 FQP50N06 60V N-Channel MOSFET datasheet
pdf, 271 КБ
Похожие товары
![2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234969.jpg)
![FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
![IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153639.jpg)
![IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
