IR2101SPBF, IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 210 ֏
от 5 шт. —
1 860 ֏
от 25 шт. —
1 290 ֏
от 95 шт. —
1 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 210 ֏
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | драйвер |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Время | затухания 50 нс |
| Выходной ток | спада пиковый 0.36 А |
| Количество | каналов 2 |
| Максимальное напряжение | смещения 600 В |
| Напряжение питания | 10…20 В |
| Рабочая температура | -40…+150 °С |
| Тип | управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IR2101(S)/IR2102(S) & (PbF)
pdf, 140 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2101(S)-IR2102(S)
pdf, 138 КБ
Похожие товары
![IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304666.jpg)
![IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304596.jpg)
