BDX33CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 040 ֏
от 2 шт. —
1 620 ֏
от 5 шт. —
1 290 ֏
от 10 шт. —
1 170 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 040 ֏
Описание
Электроэлемент
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:70W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:750hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Av Current Ic:10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Continuous Collector Current Ic Max:10A; Current Ic Continuous a Max:10A; Current Ic hFE:4A; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:750; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:70W; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:100V
Технические параметры
Collector Current (DC) | 10(A) |
Collector-Base Voltage | 100(V) |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5(V) |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 750 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Maximum Collector Cut-off Current | 1000 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-220AB |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 70(W) |
Rad Hardened | No |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.53 mm |
Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 750 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | BDX33C |
Тип продукта | Darlington Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum DC Current Gain | 750 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 4.82mm |
Вес, г | 2.86 |