Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6 ...

STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8,2А, Idm: 38А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

28 шт., срок 8 недель

2 470 ֏

от 3 шт. — 2 040 ֏

от 10 шт. — 1 760 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 470 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003836407

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8,2А, Idm: 38А Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	16.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.25 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7 ns
Время спада	9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STx18
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.6V
Maximum Continuous Drain Current	13 A
Maximum Drain Source Resistance	280 mΩ
Maximum Gate Source Voltage	±25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.75V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3.25V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	16.8 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	1.69