Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD5N60DM2, MOSFET N-channel 600 V ...

STD5N60DM2, MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2270 шт., срок 8-10 недель

790 ֏

от 10 шт. — 620 ֏

от 100 шт. — 442 ֏

от 500 шт. — 360 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 ֏

Номенклатурный номер: 8004583749

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	19.8 ns
Id - Continuous Drain Current:	3.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	45 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	8.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.38 Ohms
Rise Time:	4.1 ns
Series:	STD5N60DM2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	17 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.33