STGB30H60DLLFBAG, IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
736 шт., срок 8-10 недель
3 510 ֏
от 10 шт. —
2 820 ֏
от 25 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
2 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 510 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 260 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | STGB30H60DLLFBAG |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 862 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
