Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Microchip › Jantx2N3019, Bipolar Transistors - BJT ...

Jantx2N3019, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 500 ֏

от 100 шт. — 8 900 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 500 ֏

Номенклатурный номер: 8004670949

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	800 mW
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-5-3
Automotive	No
Configuration	Single
Diameter	9.4(Max)
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Not Compliant
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.1@15mA@150mA
Maximum Collector Base Voltage (V)	140
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.2@15mA@150mA\|0.5@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum DC Collector Current (A)	1
Maximum Emitter Base Voltage (V)	7
Maximum Operating Temperature (°C)	200
Maximum Power Dissipation (mW)	800
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tray
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	TO-205-AF
Supplier Package	TO-39
Supplier Temperature Grade	Military
Type	NPN
Вес, г	1