BC817RAZ, Bipolar Transistors - BJT BC817RA/SOT1268/DFN1412-6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2814 шт., срок 8-10 недель

407 ֏

от 10 шт. — 286 ֏

от 100 шт. — 122 ֏

от 1000 шт. — 77 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 407 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004727412

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	700 mV
Configuration:	Dual
Continuous Collector Current:	500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min:	160
DC Current Gain hFE Max:	400
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	5000
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Nexperia
Maximum DC Collector Current:	500 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	DFN1412-6
Part # Aliases:	934070165147
Pd - Power Dissipation:	500 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Qualification:	AEC-Q101
Series:	BC817
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
DC Ток Коллектора	500мА
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	45В
Полярность Транзистора	Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность	500мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1412
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.01