JAN2N3439, Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 800 ֏

Номенклатурный номер: 8004809743

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	800 mW
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40 at 20 mA, 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	160 at 20 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	450 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3
Вес, г	1