Jantx2N3019S, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 500 ֏
от 100 шт. —
8 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Microchip/Microsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 3.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 258 КБ
Похожие товары
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330075.jpg)
