JANTX2N3501UB, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26 900 ֏

от 100 шт. — 20 700 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 900 ֏

Номенклатурный номер: 8004810006

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Pd - рассеивание мощности	1.5 W
RoHS	N
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	300 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Waffle
Упаковка / блок	SMD-3
Вес, г	1