Jantx2N3868, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 100 ֏

от 100 шт. — 23 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 30 100 ֏

Номенклатурный номер: 8004810012

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 1.5 A at 2 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	150 at 1.5 A at 2 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-5-3
Вес, г	1