Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB19NF20, MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel

STB19NF20, MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1244 шт., срок 8-10 недель

1 970 ֏

от 10 шт. — 1 540 ֏

от 100 шт. — 1 160 ֏

от 250 шт. — 1 000 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 970 ֏

Номенклатурный номер: 8004827785

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	11 ns
Id - Continuous Drain Current:	15 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	90 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	24 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	160 mOhms
Rise Time:	22 ns
Series:	STB19NF20
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MESH OVERLAY
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	19 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	4